特許
J-GLOBAL ID：200903024923620097
窒化物半導体素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
豊栖 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-331035
公開番号（公開出願番号）：特開平11-150301
出願日： 1997年11月14日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：
【要約】【課題】 正負の電極間の絶縁性が高く、電極及び半導体層の表面が効果的に保護された窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】 基板上に、n型窒化ガリウム系半導体層を含む半導体層を介して形成されたp型窒化ガリウム系半導体層を備え、n型窒化ガリウム系半導体層の上面の一部を露出させてその露出させたn型窒化ガリウム系半導体層上に負電極を形成し、p型窒化ガリウム系半導体層上に正電極を形成し、さらに正電極上の第1開口部と負電極上の第2開口部とを除いて正電極から負電極上に亙って連続した絶縁保護膜を形成した窒化物半導体素子であって、正電極と絶縁保護膜との間及び負電極と絶縁保護膜との間に、金属又は金属酸化物からなり、正電極及び負電極と絶縁保護膜との接着強度を高めるための接着強化層を形成した。
請求項（抜粋）：
基板上に、少なくともn型窒化ガリウム系半導体層を含む半導体層を介して形成されたp型窒化ガリウム系半導体層を備え、上記n型窒化ガリウム系半導体層の上面の一部を露出させてその露出させたn型窒化ガリウム系半導体層の上面に負電極を形成し、上記p型窒化ガリウム系半導体層の上面に正電極を形成し、さらに上記正電極上の外部回路との接続部分である第1開口部と上記負電極上の外部回路との接続部分である第2開口部とを除いて上記正電極から上記負電極上に亙って連続した絶縁保護膜を形成した窒化物半導体素子であって、上記正電極と上記絶縁保護膜との間及び上記負電極と上記絶縁保護膜との間に、金属又は金属酸化物からなり、上記正電極及び上記負電極と上記絶縁保護膜との接着強度を高めるための接着強化層を形成したことを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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