特許

J-GLOBAL ID：200903024942483475

半導体基板の作製方法および半導体基板および半導体発光素子

発明者： 岩田 浩和
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 樺山 亨 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-067498
公開番号（公開出願番号）：特開2001-257432
出願日： 2000年03月10日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：

【要約】【課題】クラックが無い高品質で大面積のIII族窒化物半導体基板を作製する方法を実現する。【解決手段】本発明の半導体基板の作製方法においては、(a) 少なくとも表面がIII-V族化合物である第一の基板100を窒化し、このIII-V族化合物のV族元素を窒素に置換してIII族窒化物101を形成する工程と、(b) V族元素を窒素に置換することで形成されたIII族窒化物101上にIII族窒化物半導体102を少なくとも一層、結晶成長する工程と、(c) III-V族化合物のV族元素を窒素に置換して形成されたIII族窒化物の領域で、結晶成長したIII族窒化物半導体層102を第一の基板100から分離する工程と、を含むことを特徴としており、III-V族化合物のV族元素を窒素に置換して形成したIII族窒化物上に、III族窒化物半導体膜を結晶成長するので、クラックが無い、大面積のIII族窒化物半導体基板を作製することができる。

請求項（抜粋）：

III族窒化物からなる半導体基板の作製方法において、(a) 少なくとも表面がIII-V族化合物である第一の基板を窒化し、このIII-V族化合物のV族元素を窒素に置換してIII族窒化物を形成する工程と、(b) V族元素を窒素に置換することで形成されたIII族窒化物上にIII族窒化物半導体を少なくとも一層、結晶成長する工程と、(c) III-V族化合物のV族元素を窒素に置換して形成されたIII族窒化物の領域で、結晶成長したIII族窒化物半導体層を第一の基板から分離する工程と、を含むことを特徴とする半導体基板の作製方法。

IPC (3件)：

H01S 5/343 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 5/343 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

Fターム (51件)：

5F041AA31 ,  5F041AA33 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041CB02 ,  5F041FF16 ,  5F045AA04 ,  5F045AB10 ,  5F045AB11 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF20 ,  5F045BB08 ,  5F045BB12 ,  5F045BB13 ,  5F045CA09 ,  5F045CA12 ,  5F045DA52 ,  5F045DA61 ,  5F045DB02 ,  5F045GH08 ,  5F045GH09 ,  5F045HA06 ,  5F045HA14 ,  5F073AA11 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073BA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA32 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29