特許

J-GLOBAL ID：200903024942938197

光電変換装置の製造方法

発明者： 石田 知久
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 古谷 史旺
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-154772
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332713
出願日： 2000年05月25日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
要約：

【要約】【課題】 光電変換装置を製造するに当たって、光電変換領域上に形成される積層膜の膜厚を高精度に制御する。【解決手段】 半導体基板101に入射光に応じた信号電荷を生成蓄積する光電変換領域110を形成する。光電変換領域110の上面に積層膜105を膜厚Txまで積層する。膜厚Txの積層膜105に対して、研磨加工製造装置10を用いて化学的機械的研磨を行う。研磨加工製造装置10に設けられた検出部14、マイクロコンピュータ17で積層膜105の膜厚Tの変化を計測(モニタ)しながら所定の膜厚Tpとなるまで、化学的機械的研磨を行う。

請求項（抜粋）：

半導体基板に入射光に応じた信号電荷を生成蓄積する光電変換領域を形成する第1のステップと、前記光電変換領域の上面に積層膜を形成する第2のステップと、前記積層膜の膜厚を光学的手段で計測しながら当該積層膜が所定の膜厚となるように化学的機械的研磨を行う第3のステップとを含んでなることを特徴とする光電変換装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 27/14 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/306 ,  H01L 31/10

FI (6件)：

H01L 21/304 622 T ,  H01L 21/304 622 S ,  H01L 27/14 Z ,  H01L 21/306 M ,  H01L 21/306 U ,  H01L 31/10 A

Fターム (22件)：

4M118AA09 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA06 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA34 ,  4M118CA40 ,  4M118EA01 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  5F043AA02 ,  5F043DD16 ,  5F043DD25 ,  5F049MA15 ,  5F049MB03 ,  5F049NA18 ,  5F049NB05 ,  5F049PA18 ,  5F049SZ12 ,  5F049SZ13