薄膜半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-297140
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153960
出願日： 1993年11月29日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：

【要約】【目的】高駆動能力の素子と均一性を必要とする素子とが、同一基板上に形成される半導体装置を実現する。【構成】ガラス基板11上に、多結晶シリコンの薄膜を堆積して多結晶シリコン膜の第1半導体層12を形成し、その上に酸化膜を堆積して第1絶縁体層13を形成する。その上部には非晶質シリコンの薄膜を堆積して、第2の半導体層14を形成し、次いで、第2半導体層14に対し部分的に紫外レーザ光100を照射して、一部を多結晶化第2半導体層24として形成する。次に、第2半導体層14の紫外レーザ光100が照射されていない部分および第1絶縁体層13をエッチングにより除去し、残された多結晶化第2半導体層24および第1半導体層12の上部に、ゲート絶縁膜層15、ゲート電極層16および配線電極層17を形成する。

請求項（抜粋）：

透明絶縁性基板上に形成された所定の能動回路および前記能動回路により駆動される所定の受動回路を含む薄膜半導体装置において、前記能動回路を構成する薄膜トランジスタの活性層が、所定のレーザアニール多結晶薄膜により形成され、且つ前記活性層の下部に、絶縁膜により層間絶縁された多結晶薄膜を備えており、前記受動回路を構成する薄膜トランジスタの活性層が、前記能動回路を構成する薄膜トランジスタの活性層とは異なる半導体層から構成されていることを特徴とする薄膜半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/20 , H01L 27/12 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 311 A , H01L 29/78 311 Y

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