特許

J-GLOBAL ID：200903024952118651

ガス検知膜とその製法

発明者： 佐藤 康弘 ,  太田 和三郎 ,  石田 力 ,  藤沢 悦子
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 友松 英爾 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-353702
公開番号（公開出願番号）：特開平7-198648
出願日： 1993年12月29日
公開日（公表日）： 1995年08月01日
要約：

【要約】【目的】 本発明の目的は、前記形態を異にする複層構造をもつSnO2薄膜に、熱による歪を受けにくい性質を付与し、電気特性や経時変化に対する安定性を向上する点にある。【構成】 (イ)上層は微粒子構造で、下層は柱状構造の二層構造(ロ)上層は連続膜構造で、下層は微粒子構造の二層構造(ハ)上層は連続膜構造で、下層は柱状構造の二層構造(ニ)連続膜構造をした上層と微粒子構造をした中層と柱状構造をした下層よりなる三層構造よりなる群から選らばれた複層構造をもつ酸化すず半導体薄膜よりなるガス検知膜において、SnO2の結晶構造が主として正方晶であり、他の結晶構造(立方晶、斜方晶)の含有率が1/10以下であることを特徴とするガス検知膜。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に形成されており、かつその形態を異にする複層構造を有する酸化すず半導体薄膜の抵抗値変化を利用してガス検知を行なうガス検知膜において、SnO2の結晶構造が主として正方晶であり、他の結晶構造(立方晶、斜方晶)の含有率が1/10以下であることを特徴とするガス検知膜。