特許

J-GLOBAL ID：200903024952265204

半導体装置の製造方法

発明者： 神保 定之 ,  森 治樹
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-032060
公開番号（公開出願番号）：特開平5-234957
出願日： 1992年02月19日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【目的】本発明は、被加工膜の下層がダメ-ジを受けない炭素膜の除去工程を有する半導体装置の製造法を提供することを目的とする。【構成】基板1上に金属膜12を堆積する工程と、この金属膜12上に炭素膜13を堆積する工程と、この炭素膜13上にレジストパタ-ン14を形成し、これをマスクとして炭素膜13及び被加工膜12をエッチングする工程と、炭素膜13を100°C以上500°C以下の範囲で加熱すると共に、酸素ラジカルを含むガス雰囲気中で炭素膜13を除去する工程とを備えていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

所望の処理が施された基板上に炭素膜を形成する工程と、前記炭素膜を所定の温度に加熱し、主たるラジカルとして酸素のラジカルを用いたガス雰囲気中で、前記ラジカルにより前記炭素膜を除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-291913
  
• 特開平3-190128
  
• 特開昭63-084029