特許

J-GLOBAL ID：200903024954782478

マルチチップモジュール

発明者： 土居 謙三
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-126299
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335779
出願日： 1994年06月08日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】 マルチチップモジュール基板の製造方法に関し、電源層と接地層との間に所定の静電容量を備えたマルチチップモジュール基板の形成を目的とする。【構成】 絶縁基板2上に接地層3,第1の絶縁層4,電源層5,第2の絶縁層6,第1の信号層7,第3の絶縁層8と順次に積層して立体回路を形成すると共に、最上層である第3の絶縁層8にチップ状の半導体集積回路9を搭載してなるマルチチップモジュールにおいて、接地層3と電源層5との間の第1の絶縁層を、高誘電率誘電体と電気的特性の優れた有機または無機誘電体の二層からなる複合誘電体層13で形成してなることを特徴としてマルチチップモジュールを構成する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板(2)上に接地層(3),第1の絶縁層(4),電源層(5),第2の絶縁層(6),第1の信号層(7),第3の絶縁層(8)と順次に積層して立体回路を形成すると共に、最上層にある第3の絶縁層(8)にチップ状の半導体集積回路(9)を搭載してなるマルチチップモジュールにおいて、前記第1の絶縁層(4)を高誘電率誘電体と、有機または無機誘電体との二層からなる複合誘電体層(13)で形成してなることを特徴とするマルチチップモジュール。

IPC (3件)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/14 ,  H01L 23/522

FI (4件)：

H01L 23/12 N ,  H01L 23/12 B ,  H01L 23/14 R ,  H01L 23/52 B