特許

J-GLOBAL ID：200903024957114646

電力用トランジスタを保護するための保護回路

発明者： フィリッペ・マニュエール ,  アントワーヌ・パブリ
出願人/特許権者： エスジェーエス-トムソン ミクロエレクトロニクス ソシエテ アノニム
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-175216
公開番号（公開出願番号）：特開平6-296362
出願日： 1993年07月15日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：

【要約】【目的】 低いエネルギの過電圧と高いエネルギの過電圧との両方に適合するVDMOSトランジスタ(またはIGBT)保護回路を提供する。【構成】 回路は、順方向過電圧に対しオフ状態の間垂直MOSまたはIGBT型の電力用トランジスタ20を保護する。保護回路は、トランジスタ20にかかる電圧を電力用トランジスタ20の順方向ブレークダウン電圧よりも低い予め定められた電圧に制限するための第1の回路Z1,D1と、第1の回路が能動化されるときトランジスタ20で消散されたエネルギ量を検出するための回路30と、低いインピーダンスでトランジスタ20をオンにするための第2の回路22,23とを含む。第2の回路は、検出回路30が消散エネルギが予め定められたエネルギしきい値を超えたことを検出したとき、能動化される。

請求項（抜粋）：

順方向過電圧に対しオフ状態の垂直MOSまたはIGBT型の電力用トランジスタを保護するための保護回路であって、電力用トランジスタにかかる電圧を電力用トランジスタの順方向ブレークダウン電圧よりも低い予め定められた電圧(VZ1+VF+VGS)へとクランプするための第1のターンオン手段(Z1,D1)と、前記第1の手段が能動化されたとき電力用トランジスタで消散されたエネルギ量を検出するための、かつ前記量を予め定められたエネルギしきい値と比較するための検出手段(24)と、低いインピーダンスの電力用トランジスタをオンにするための第2のターンオン手段(22,23)とを含み、前記第2の手段は前記検出手段が消散エネルギが前記予め定められたエネルギしきい値を超えたことを検出したとき能動化される、保護回路。

IPC (5件)：

H02M 1/00 ,  H02H 3/20 ,  H02H 7/20 ,  H02M 3/155 ,  H03K 17/08