特許

J-GLOBAL ID：200903024957660306

三次元錯体の内部空孔での光化学反応によるシクロブタン誘導体の製造方法

発明者： 藤田 誠 ,  楠川 隆博 ,  吉沢 道人
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 宮本 晴視
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-246043
公開番号（公開出願番号）：特開2003-055271
出願日： 2001年08月14日
公開日（公表日）： 2003年02月26日
要約：

【要約】【課題】 自己組織的に形成される孤立三次元空間の技術の利用を発展させること【解決手段】 収束性遷移金属錯体と該錯体に自己組織的に配位する3以上の結合サイトを有するパネル状有機分子とから自己組織的に形成される孤立三次元空間内に、光化学反応によりシクロブタン環を形成して二量化する同種の化合物(ホモ)または異種の化合物(ヘテロ)を包接させ、光照射することによりシクロブタン環の形成によりシクロブタン誘導体を製造する方法。

請求項（抜粋）：

収束性遷移金属錯体と該錯体に自己組織的に配位する3以上の結合サイトを有するパネル状有機分子とから自己組織的に形成される孤立三次元空間内に、光化学反応によりシクロブタン環を形成して二量化する同種の化合物(ホモ)または異種の化合物(ヘテロ)を包接させ、光照射することによりシクロブタン環の形成によりシクロブタン誘導体を製造する方法。

IPC (6件)：

C07C 2/42 ,  C07C 13/62 ,  C07C 46/00 ,  C07C 50/22 ,  C07C 50/36 ,  C07M 9:00

FI (6件)：

C07C 2/42 ,  C07C 13/62 ,  C07C 46/00 ,  C07C 50/22 ,  C07C 50/36 ,  C07M 9:00

Fターム (7件)：

4H006AA02 ,  4H006AC28 ,  4H006BA25 ,  4H006BA47 ,  4H006BA95 ,  4H006BB31 ,  4H006BC10