特許
J-GLOBAL ID：200903024960628243
面発光半導体レーザ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-299763
公開番号（公開出願番号）：特開2001-119100
出願日： 1999年10月21日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：
【要約】【課題】 半導体レーザ装置において、しきい値電流の温度特性を向上させる。【解決手段】 n-InxGa1-xAs基板11上に、n-InxGa1-xAsバッファ層12、20ペアのn-Inx6Ga1-x6As1-y6Py6/n-Inx3(Alz3Ga1-z3)1-x3P高反射膜13、nあるいはi-Inx2Ga1-x2As1-y2Py2光閉じ込め層14、Inx5Ga1-x5As1-y5Py5引張り歪障壁層/Inx1Ga1-x1As1-y1Py1圧縮歪多重量子井戸活性層15、pあるいはi-Inx2Ga1-x2As1-y2Py2上部光閉じ込め層16、20ペアのp-Inx3(Alz3Ga1-z3)1-x3P/p-Inx6Ga1-x6As1-y6Py6高反射膜17、p-InxGa1-xAsコンタクト層18を積層する。絶縁膜19を形成した後、1〜100μm程度の円形状にマスクを形成し、光導波層の途中までエッチングする。Si膜20を全面に蒸着し、SiN膜21を形成し、熱処理でSiを拡散させ電流を狭窄する。SiN膜21、マスク19およびSi膜20を除去した後、SiO2膜23を全面に形成し、円柱の上部のみSiO2膜23を除去する。
請求項（抜粋）：
組成比が0<x≦0.3である第一導電型In<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>As基板上に、少なくとも、第一の屈折率を有する半導体層と前記第一の屈折率より低い屈折率を有する半導体層が交互に積層されてなる第一導電型半導体多層反射膜、第一導電型またはアンドープの下部光閉じ込め層、井戸数が1つ以上の圧縮歪量子井戸活性層、第二導電型またはアンドープの上部光閉じ込め層、第一の屈折率を有する半導体層と前記第一の屈折率より低い屈折率を有する半導体層が交互に積層されてなる第二導電型半導体多層反射膜および第二導電型InGaAsコンタクト層がこの順に積層されてなり、前記圧縮歪量子井戸活性層に、前記光閉じ込め層のバンドギャップより大きいバンドギャップを有する引張り歪障壁層が隣接しており、前記圧縮歪量子井戸活性層上に、該圧縮歪量子井戸活性層へ電流を注入するための通路を備えたことを特徴とする面発光半導体レーザ装置。
Fターム (12件)：
5F073AA45
, 5F073AA74
, 5F073AB17
, 5F073BA02
, 5F073CA17
, 5F073CB02
, 5F073DA05
, 5F073DA12
, 5F073DA25
, 5F073EA02
, 5F073EA22
, 5F073EA23
