特許

J-GLOBAL ID：200903024963600935

半導体装置の製造方法

発明者： 三橋 敏郎
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-183767
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029409
出願日： 1992年07月10日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、半導体装置における配線パターンの一つとして、コンタクトホール内をタングステンで埋め込んで配線を形成する製造方法に関するもので、密着層(TiN)をエッチングする際、特に浅いコンタクトホール(基板まで到達しない)の底部の下地の導電膜(ポリシリコン)までエッチングされて、コンタクト抵抗が高くなる問題点を除去することを目的とするものである。【構成】 本発明は前記目的のため、コンタクトホール30、31埋め込み用タングステン(W)12をエッチングした後、密着層(TiN)11をエッチング除去することなく、その上にバリアメタル(TiNまたはTiW)23を形成するか、密着層TiN11の変質した表面を除去(図1(ca))、或は回復(図1(cb))するようにしたものである。

請求項（抜粋）：

(a)半導体基板上に絶縁膜を形成し、該絶縁膜の所定位置にコンタクトホールを形成して、該コンタクトホールを含めて全面に密着層を形成し、前記コンタクトホールを埋めるための高融点金属を全面に形成する工程、(b)前記密着層が除去されない条件で、前記高融点金属をエッチバックする工程、(c)前記除去されない密着層の上に、バリアメタルを形成する工程、(d)前記工程までの構造の上に、配線層を形成する工程、以上の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/3205