特許

J-GLOBAL ID：200903024965624327

発光装置およびその製造方法

発明者： 松原 秀樹 ,  武部 敏彦 ,  石長 宏基 ,  前川 守
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社 ,  ローム株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-097860
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299699
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：

【要約】【課題】 インジウム層を介して電極上に実装されたZnSe系LEDチップを有する発光装置において、該LEDチップを封止する樹脂の硬化収縮時の応力による素子の劣化を抑制し、かつインジウム層が劣化して発光装置の駆動電圧値が変化することをも防止する。【解決手段】 本発明の発光装置は、電極16,17と、この電極16,17上にインジウム層8を介して実装されn型ZnSe単結晶からなる基板と該基板上に設けられ電流注入により発光しZnSeを母体とする混晶化合物からなるエピタキシャル発光構造とを有するLED5と、LED5を封止する封止樹脂6とを備え、封止樹脂6のガラス転移温度を80°C以下またはLED5近傍の封止樹脂6を常温でも弾性をもつような柔らかい樹脂とする。

請求項（抜粋）：

電極と、前記電極上にインジウム層を介して実装され、n型ZnSe単結晶からなる基板と、該基板上に設けられ電流注入により発光しZnSeを母体とする混晶化合物からなるエピタキシャル発光構造とを有する発光素子と、前記発光素子を封止する封止樹脂とを備え、前記封止樹脂のガラス転移温度を80°C以下とした、発光装置。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (5件)：

H01L 33/00 N ,  H01L 33/00 D ,  H01L 21/56 J ,  H01L 23/30 B ,  H01L 23/30 F

Fターム (23件)：

4M109AA01 ,  4M109CA21 ,  4M109EE11 ,  4M109GA01 ,  5F041AA14 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA41 ,  5F041CA43 ,  5F041CA57 ,  5F041CA66 ,  5F041DA07 ,  5F041DA17 ,  5F041DA44 ,  5F041DA45 ,  5F041DA46 ,  5F041DA58 ,  5F041DB09 ,  5F041FF01 ,  5F041FF11 ,  5F061AA01 ,  5F061CB03 ,  5F061FA01