特許

J-GLOBAL ID：200903024966147581

半導体記憶装置

発明者： 茂木 比呂志
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-105413
公開番号（公開出願番号）：特開平8-297993
出願日： 1995年04月28日
公開日（公表日）： 1996年11月12日
要約：

【要約】【目的】 ビット線に生じたリークパスを除去し、プリチャージ電圧の低下を防止して、正常な読み出し動作を確保する。【構成】 複数の正規のビット線群と、正規のビット線群と置換される予備のビット線群と、全てのビット線に共通にプリチャージ電圧を供給する電圧発生回路手段とを具備する半導体記憶装置において、前記ビット線の電圧が低下したことを検知してビット線へのプリチャージ電圧の供給を停止するスイッチング回路手段を前記ビット線群ごとに設けた。

請求項（抜粋）：

複数の正規のビット線群と、正規のビット線群と置換される予備のビット線群と、全てのビット線に共通にプリチャージ電圧を供給する電圧発生回路手段とを具備する半導体記憶装置において、前記プリチャージ電圧の供給を停止するスイッチ回路手段を前記ビット線群ごとに設けたことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 29/00 301 ,  G11C 11/401

FI (2件)：

G11C 29/00 301 B ,  G11C 11/34 371 A