メモリの過剰消去判定方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-093435
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297077
出願日： 1998年04月06日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】常温でフラッシュメモリの過剰消去判定を行なった際の判定結果が高温の使用時にも通用する信頼性の高いメモリの過剰消去判定を行なうこと。【解決手段】常温でのフラッシュメモリセル1、2、3、...の過剰消去判定を行う際に、各ワードライン300のコントロールゲート電圧を0.5Vとして、非選択時の0Vよりも若干高くする。これにより、ドレインライン100を流れるリーク電流が若干多くなるため、リーク量の温度(特に高温)に対するマージンをとることができる。この状態で、ドレインライン100を流れるリーク電流が基準値より大きい場合に、過剰消去セル有りと判定するが、この判定は高温での使用時においても同様に通用し、常温時には過剰消去セル無しと判定されるが、高温での使用時には過剰消去セルがでてきてしまうというような誤判定を無くすことができる。

請求項（抜粋）：

フローティングゲート、コントロールゲート、ソース及びドレインを有し、前記フローティングゲートに対する電子の注入あるいは放出動作によりデータの記憶を行なうフラッシュメモリにあって、前記電子の放出が大き過ぎることにより生じるメモリの過剰消去を判定する際、前記コントロールゲート電圧として、非選択のコントロールゲート電圧よりも高い電圧を掛け、前記ドレイン、ソース間のリーク電流の大きさによりメモリの過剰消去を判定することを特徴とするメモリの過剰消去判定方法。

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