特許

J-GLOBAL ID：200903024970961315

半導体装置の製造方法

発明者： 金原 滋 ,  花岡 克成 ,  川島 伊久衞 ,  伊藤 和典
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 野口 繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-193948
公開番号（公開出願番号）：特開平9-270465
出願日： 1996年07月03日
公開日（公表日）： 1997年10月14日
要約：

【要約】【課題】 接続孔に埋め込んだプラグ用金属を層間絶縁膜よりも上部に突出するように形成する。【解決手段】 配線2、層間絶縁膜3を形成し、層間絶縁膜3に接続穴を形成する。その接続穴を完全に埋め込むように熱CVD技術によりプラグ用金属膜としてタングステンのブランケット膜を堆積する。その後、タングステン膜が接続穴にのみ残るようにタングステン膜の全面エッチバックを行ない、タングステンプラグ7を形成する。その後、CHF3とC2F6の混合ガスを用いて、SiO2膜3の全面エッチバックを行ない、タングステンプラグ7の一部をSiO2膜3の上面から突出させる。次に、スパッタリング法によりTi膜8aを形成した後、高温スパッタリング法によりAlSiCu膜8bを形成し、AlSiCu膜8bとTi膜8aをパターン化して2層目の配線8を形成する。

請求項（抜粋）：

以下の工程(A)から(G)を含む半導体装置の製造方法。(A)絶縁膜上にパターン化された下層配線をもつ下地、又は半導体基板の一部を露出させた下地上に層間絶縁膜を形成する工程、(B)その層間絶縁膜を全体的に平坦化する工程、(C)その絶縁膜に下層との接続を施すための接続孔を形成する工程、(D)その絶縁膜上からプラグ用金属膜を形成し、接続孔以外の部分のプラグ用金属膜を除去して接続孔をプラグ用金属で埋め込む工程、(E)前記層間絶縁膜にエッチバックを施して膜厚を減少させることにより接続孔に埋め込まれたプラグ用金属をその層間絶縁膜表面から突出させる工程、(F)前記層間絶縁膜上からプラグ用金属とは異なる材質の上層配線用金属膜を形成する工程、(G)上層配線用金属膜のエッチング速度がプラグ用金属のエッチング速度より大きくなる条件での上層配線用金属膜エッチングを含む上層配線用金属膜のパターン化工程。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/304 321 S ,  H01L 21/88 N