特許
J-GLOBAL ID：200903024972846351
軟磁性薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小杉 佳男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-234548
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074643
出願日： 1991年09月13日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【目的】20kG以上の飽和磁束密度を有し、かつ優れた軟磁気特性を有する磁性薄膜を得る。【構成】Co≦70at%を含有するFe-Co系合金薄膜をスパッタリング法により基板上に成膜するに際し、スパッタリングガス圧力P[Pa]が、Co含有量x[at%]に対して0.09+x/400 ≦ P ≦ 0.70 ...(1)の関係を満たす。また好ましくは、スパッタリングガスがArであり、スパッタリングガス圧力P「Pa]が、Co含有量x[at%]に対して(1)式の関係と次式0.07+x/200 ≦ P ≦ 0.20+x/200の関係を同時に満たす。
請求項（抜粋）：
Co≦70at%を含有するFe-Co系合金薄膜をスパッタリング法により基板上に成膜するに際し、スパッタリングガス圧力P[Pa]が、Co含有量x[at%]に対して 0.09+x/400 ≦ P ≦ 0.70 ...(1)の関係を満たすことを特徴とする軟磁性薄膜の製造方法。
IPC (3件)：
H01F 41/18
, C23C 14/14
, H01F 10/16
