特許

J-GLOBAL ID：200903024974653860

半導体装置のケイ素酸化膜の製造法

発明者： 寳地戸 雄幸 ,  二木 剛彦
出願人/特許権者： 株式会社高純度化学研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-360779
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160116
出願日： 1991年12月06日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：

【要約】【目的】 新規な液体原料であるトリエトキシシランを原料ガスとし、酸素源とともにCVD法によってSiO2膜を製造する場合、生成したSiO2膜中に有機物やOH基が残存せず、緻密な膜質を得ることができ、さらに平坦化性に優れている半導体装置のケイ素酸化膜の製造法を提供することを目的とする。【構成】 トリエトキシシランを酸素、オゾン、酸化窒素等の酸素源とともにCVD法によってケイ素酸化膜を製造する場合、0.001〜2容量%の範囲内で水蒸気を添加する。水蒸気はSiO2と反応しSi(OH)4を生成し、膜質を緻密化する。また、水蒸気はトリエトキシシランと反応し水素を発生し、膜中に有機成分やOH基を残存させない。

請求項（抜粋）：

トリエトキシシランを酸素、オゾン、酸化窒素等の酸素源とともにCVD法によって得る酸化膜製造法において、0.001〜2容量%の範囲内で水蒸気を添加することを特徴とする半導体装置のケイ素酸化膜の製造法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/40