特許

J-GLOBAL ID：200903024977331147

高周波半導体装置

発明者： 瀬 下 敏 樹
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-002288
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204728
出願日： 1998年01月08日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：

【要約】【課題】 相互インダクタンスの影響を低減し、安定な性能を得る。【解決手段】 少なくとも2つの素子Q1 ,Q2 が形成された半導体基板と、この半導体基板上に形成されて前記2つの素子の一方Q1 と接続される第1のパッド14と、この第1のパッドと隣り合うように半導体基板上に形成されて2つの素子の他方Q2 と接続される第2のパッド18と、第1および第2のパッドの間の半導体基板に設けられ、この半導体基板上に形成されたどの素子とも接続されない第3のパッド16とを有するチップ10と、第1および第2の端子GND2,GND3 と、これらの第1の端子と第2の端子との間に配置される第3の端子GND6 とを有し、チップが実装される基板2と、第1、第2、第3のパッドと第1、第2、第3の端子とを各々接続する第1、第2、第3のボンディングワイヤ84 ,86 ,88 と、を備え、第3のパッドはグランド電位に接続されることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

少なくとも2つの素子が形成された半導体基板と、この半導体基板上に形成されて前記2つの素子の一方と接続される第1のパッドと、この第1のパッドと隣り合うように前記半導体基板上に形成されて前記2つの素子の他方と接続される第2のパッドと、前記第1および第2のパッドの間の前記半導体基板に設けられ、この半導体基板上に形成されたどの素子とも接続されない第3のパッドとを有するチップと、第1および第2の端子と、これらの第1の端子と第2の端子との間に配置される第3の端子とを有し、前記チップが実装される基板と、前記第1、第2、第3のパッドと前記第1、第2、第3の端子とを各々接続する第1、第2、第3のボンディングワイヤと、を備え、前記第3のパッドはグランド電位に接続されることを特徴とする高周波半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822