特許
J-GLOBAL ID：200903024977559687
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-000347
公開番号（公開出願番号）：特開平5-003166
出願日： 1991年01月08日
公開日（公表日）： 1993年01月08日
要約：
【要約】【構成】BPSG膜2,酸化シリコン膜3,BPSG膜4を順次積層して設けた層間絶縁膜にコンタクト孔を設け、コンタクト孔の側面にのみ、多結晶シリコン膜7を設けたコンタクト孔にアルミニウム電極8を設ける。【効果】コンタクト孔底面の酸化膜エッチングの際に生ずる酸化シリコン膜の側面の窪みの発生を抑えてコンタクト孔の金属電極のコンタクト不良を防止する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に設けた酸化シリコン膜と、前記酸化シリコン膜の上に設けたBPSG膜と、前記酸化シリコン膜及びBPSG膜を選択的に順次エッチングして設けたコンタクト孔と、前記コンタクト孔の側面にのみ設けた多結晶シリコン膜と、前記コンタクト孔に設けた金属電極とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/28
, H01L 21/28 301
, H01L 21/3205
, H01L 21/90
