半導体発光素子および光電子集積回路

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉浦正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-097473
公開番号（公開出願番号）：特開平10-290044
出願日： 1997年04月15日
公開日（公表日）： 1998年10月27日
要約：

【要約】【課題】端面に窓を有する共振器を半導体基板を劈開することなく実現することができ、窓の表面モフォロジーが良好な半導体発光素子およびそのような半導体発光素子を有する光電子集積回路を提供する。【解決手段】 (100)面方位のn型GaAs基板1上に順次積層されたn型AlX1Ga1-X1Asクラッド層2、AlX2Ga1-X2As活性層3およびp型AlX1Ga1-X1Asクラッド層4を、[011]方向に共振器長を有する共振器の形状にパターニングし、共振器の端面7にAlX3Ga1-X3As層8からなる窓を設ける。共振器の端面7は微小な凹凸を有し、端面7に設けられたAlX3Ga1-X3As層8からなる窓の面は安定な{110}ファセット面8aからなる。

請求項（抜粋）：

{100}面または{100}面から10°以下傾斜した面を主面とするせん亜鉛鉱型結晶構造の半導体基板上に、せん亜鉛鉱型結晶構造の半導体からなる第1導電型の第1のクラッド層、活性層および第2導電型の第2のクラッド層からなり、かつ、上記第1のクラッド層、上記活性層および上記第2のクラッド層が[011]方向または[01-1]方向に延在する所定形状にパターニングされた共振器を有し、少なくとも上記共振器の端面に上記活性層からの光を吸収しないせん亜鉛鉱型結晶構造の半導体からなる窓を有する半導体発光素子において、上記共振器の上記端面は上記窓を構成するせん亜鉛鉱型結晶構造の半導体の成長時にキンクとなる微小な凹凸を有するとともに、上記窓の面は{110}ファセット面からなることを特徴とする半導体発光素子。

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