特許
J-GLOBAL ID：200903024991816234
微細半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-178178
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029343
出願日： 1991年07月18日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】 0.4μm以下のMOSFETのゲート電極の一部を高融点シリサイドとしたときの高融点金属シリサイド膜の応力を軽減し、剥離を防ぐことを目的とする。【構成】 ゲート電極表面に高融点金属シリサイド膜を用いたMOSFETにおいて、高融点金属シリサイド膜がソース又はドレイン領域と電気的に分離された後、高融点金属シリサイド膜にシリコンを充分供給し、ゲート電極下地である多結晶シリコン膜からのシリコンの供給を軽減できる。
請求項（抜粋）：
0.4μm以下のシリコンよりなるゲート電極を形成する工程、前記ゲート電極側壁にサイドウォールを形成する工程、高融点金属を堆積する工程、前記高融点金属を少なくとも一部アニールによってシリサイド化する工程、アニールによってシリサイド化されなかった高融点金属膜及びアニール雰囲気ガスと反応した高融点金属膜を除去する工程、シリコンイオンを注入する工程、並びに再びアニールを行う工程を含むことを特徴とする微細半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 21/28 301
