特許
J-GLOBAL ID:200903024992925584

酸化物超電導体厚膜積層体およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 泉名 謙治
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-143406
公開番号(公開出願番号):特開平5-310421
出願日: 1992年05月08日
公開日(公表日): 1993年11月22日
要約:
【要約】【目的】高い結晶配向性を有し、臨界電流密度等の超電導特性が良好で、電流リードなどの用途にも好適に使用することができる酸化物超電導体厚膜状積層体を提供する。【構成】基板上に第1層としてc軸が基板表面に垂直に配向したからなる層を有し、その上に第2層として第1層より低い分解溶融温度を有し、かつc軸が基板表面に垂直に配向したReBa2 Cu3 Oy からなる層を有する酸化物超電導体厚膜積層体。
請求項(抜粋):
基板上に第1層としてc軸が基板表面に垂直に配向したReBa2 Cu3 Oy(ReはY、Lu、Yb、Tm、Er、Ho、Dy、Gd、Eu、Sm、Nd、Pr、Laからなる群より選ばれた1種以上)からなる層を有し、その上に第2層として第1層より低い分解溶融温度を有し、かつc軸が基板表面に垂直に配向したReBa2 Cu3 Oy からなる層を有する酸化物超電導体厚膜積層体。
IPC (6件):
C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C04B 35/00 ZAA ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA

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