特許
J-GLOBAL ID：200903024997409665
太陽電池の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-155464
公開番号（公開出願番号）：特開平11-004009
出願日： 1997年06月12日
公開日（公表日）： 1999年01月06日
要約：
【要約】【課題】 太陽電池の光吸収層として有望なI-III-VI2薄膜を大面積且つ低コストで形成でき、高い変換効率を得ることができる太陽電池を製造できる太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】 導電性基板上にI族及びIII族元素を含む有機金属塩からなるエステル溶液、例えば、Cu及びInを含む酢酸エステル溶液膜40を被着する。その後、大気中のような酸化性雰囲気で熱処理してCu-In-O膜膜41を形成する。この薄膜41を繰り返し形成して、所定の膜厚の積層体とする。この素子はVI族元素を含む還元性雰囲気中で熱処理されて、I-III-VI2膜、例えば、CuInS2膜42が形成される。更に、この膜42上に、例えば、CdSを堆積してn型窓層43を形成し、更にまたn型窓層43上に、例えば、ITOをスパッタリングにより堆積して透明電極膜44を形成した後、Au電極端子50を形成する。
請求項（抜粋）：
導電性基板上に、周期律表I族金属及びIII族金属からなる有機金属塩を含むエステル溶液を被着する工程と、酸化性雰囲気で熱処理して酸化物膜を形成する工程と、VI族元素を含む還元性雰囲気中で熱処理することにより半導体膜を形成する工程と、を有することを特徴とする太陽電池の製造方法。
FI (2件)：
H01L 31/04 E
, H01L 31/04 H
