特許

J-GLOBAL ID：200903024998605999

SOI基板におけるSOI膜厚均一化方法

発明者： 大田 豊 ,  阿部 孝夫 ,  中野 正剛 ,  片山 正健
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 山下 亮一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-138845
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335395
出願日： 1992年05月29日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】 SOI膜厚が10μm以上のSOI基板においても、SOI膜厚のバラツキを基板全面に亘って±0.3μm以下に抑えることができるSOI基板におけるSOI膜厚均一化方法を提供すること。【構成】 SOI基板11面内を複数の区画W1,W2...Wnに分割し、フーリエ変換赤外分光計(FTIR)を用いて各区画W1,W2...WnのSOI膜厚をそれぞれ測定して膜厚マップを作成し、各区画W1,W2...WnのSOI膜厚が所定値となるためのエッチング代を前記膜厚マップに基づいて各区画W1,W2...Wn毎に計算し、所定の領域のみを選択的にエッチング可能なドライエッチング装置30をSOI基板11上で走査して各区画W1,W2...WnのSOI膜を所定のエッチング代だけエッチング処理することによって、SOI膜厚が所望の値及びバラツキ(±0.3μm)以下となるようにする。

請求項（抜粋）：

SOI基板面内を複数に区画し、フーリエ変換赤外分光計を用いて各区画のSOI膜厚をそれぞれ測定して膜厚マップを作成し、各区画のSOI膜厚が所定値となるためのエッチング代を前記膜厚マップに基づいて各区画毎に計算し、所定の領域のみを選択的にエッチング可能なドライエッチング装置をSOI基板上で走査して各区画のSOI膜を所定のエッチング代だけエッチング処理することを特徴とするSOI基板におけるSOI膜厚均一化方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  G01B 11/06 ,  H01L 21/302

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-075337
  
• 特開昭58-138030
  
• 特開昭55-078203
  
• 特開昭61-111427