特許

J-GLOBAL ID：200903024999932241

連続勾配を有する縦型空洞表面放出レーザ

発明者： チャン-ロン・シェー ,  マイケル・エス・レビー ,  シン-チャン・リー ,  ピオトル・グロッジンスキー
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 本城 雅則 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-293840
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222802
出願日： 1995年10月18日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【課題】 製造性が良く、消費電力の低いVCSEL装置を提供するVCSEL構造を提供する。【解決手段】 アルミニウム濃度の異なるヒ化アルミニウム・ガリウムの交互層を有する第1分散ブラッグ反射積層部106が、基板103の表面104上に配置され、このとき第1群の連続勾配層110はアルミニウム濃度の異なる交互層の間に置かれて、交互層の一方から他方へアルミニウム濃度を動的に移動させる。第1被覆領域113が第1分散ブラッグ反射積層部106上に配置される。活性領域118が第1領域113上に配置され、第2被覆領域128が活性領域118上に配置される。アルミニウム濃度の異なるヒ化アルミニウム・ガリウムの交互層を有する第2分散ブラッグ反射積層部137が第2被覆領域上に配置され、このとき第2群の連続勾配層145はアルミニウム濃度の異なる交互層の間に置かれて、交互層の一方から他方へアルミニウム濃度を動的に変化させる。

請求項（抜粋）：

表面(104)を有する基板(103);前記基板(103)の前記表面(104)上に配置された第1ドーパント濃度を持つ第1ドーパントを有する第1分散ブラッグ反射積層部(106)であって、前記第1分散ブラッグ反射積層部(106)には、第1アルミニウム濃度を有する第1ヒ化アルミニウム・ガリウム層と、第2アルミニウム濃度を有する第2ヒ化アルミニウム・ガリウム層の交互層が含まれ、前記第1ヒ化アルミニウム・ガリウム層(109)と前記第2ヒ化アルミニウム・ガリウム層(108)との間には連続勾配層(110)が配置されており、前記連続勾配層(110)が前記第1ヒ化アルミニウム・ガリウム層(109)と前記第2ヒ化アルミニウム・ガリウム層(108)からなる交互層の間にアルミニウム勾配を提供する第1分散ブラッグ反射積層部(106);前記第1分散ブラッグ反射積層部(106)上に配置された第1被覆領域(113)であって、前記第1分散ブラッグ反射積層部(106)上に配置された第2ドーパント濃度をもつ前記第1ドーパントを有する第3ヒ化アルミニウム・ガリウム層(115)と前記第3ヒ化アルミニウム・ガリウム層(115)の上に付着された第4ヒ化アルミニウム・ガリウム層(117)とを含む第1被覆領域(113);前記第1被覆領域(113)上に配置された活性領域(118)であって、第1バリア層(120)と第2バリア層(122)との間に緊張層(121)を有する活性領域(118)であって、前記第1バリア層(120)が前記第1被覆領域(113)上に配置され、前記第2バリア層(122)が前記緊張層(121)上に配置される活性領域(118);前記活性領域(118)上に配置された第2被覆領域(125)であって、前記第2バリア層(122)上に配置された第3ドーパント濃度を持つ第2ドーパントを有する第5ヒ化アルミニウム・ガリウム層(131)と、前記第5ヒ化アルミニウム・ガリウム層(131)の上に付着された第6ヒ化アルミニウム・ガリウム層(133)とを含む第2被覆領域(125);および前記第2被覆領域(128)上に配置された第4ドーパント濃度を持つ第2ドーパントを有する第2分散ブラッグ反射積層部(137)であって、前記第2分散ブラッグ反射積層部(137)が第3アルミニウム濃度を有する第7ヒ化アルミニウム・ガリウム層と第4アルミニウム濃度を有する第8ヒ化アルミニウム・ガリウム層とからなる交互層と、前記第7ヒ化アルミニウム・ガリウム層と前記第8ヒ化アルミニウム・ガリウム層との間に配置された連続勾配層(145)とを含み、前記連続勾配層(145)が前記第7ヒ化アルミニウム・ガリウム層と前記第8ヒ化アルミニウム・ガリウム層との間にアルミニウム勾配を提供する第2分散ブラッグ反射積層部(137);によって構成されることを特徴とする縦型空洞表面放出レーザ。