特許
J-GLOBAL ID：200903025006833118
半導体チップの形成方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-262575
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091274
出願日： 1998年09月17日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】【課題】 半導体チップの抗折強度の向上を図る。【解決手段】 半導体ウェハ1をダイシングし、この半導体ウェハ1のダイシングによって形成された切削部1aを、ダイシング後、エッチングしてこの切削部1aの表面層1bを除去することにより、半導体ウェハ1の切削部1aに形成されたチッピングや結晶欠陥などの欠陥を取り除き、これによって半導体ウェハ1から分離させて取得する半導体チップの抗折強度の向上を図ることができる。
請求項（抜粋）：
半導体ウェハを切削して格子状の切り溝を形成する工程と、前記切削によって形成された前記半導体ウェハの切削部をエッチングして前記切削部の表面層を除去する工程とを有し、前記切削部の前記表面層を除去して前記半導体ウェハから形成する半導体チップの抗折強度を向上し得ることを特徴とする半導体チップの形成方法。
FI (2件)：
H01L 21/78 S
, H01L 21/78 Q
