特許
J-GLOBAL ID：200903025009745732

金属-窒化ケイ素、酸化ケイ素、又は酸窒化ケイ素のALD/CVD用のTi、Ta、Hf、Zr及び関連する金属のケイ素アミド

発明者：
ジョン アンソニー トーマス ノーマン

ジョン アンソニー トーマス ノーマン について

, 
シンチアン レイ

シンチアン レイ について


出願人/特許権者：
エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド

エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド について


代理人 (4件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  小野田 浩之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-275057
公開番号（公開出願番号）：特開2007-131616
出願日： 2006年10月06日
公開日（公表日）： 2007年05月31日
要約：
【課題】金属窒化ケイ素ベース膜、金属酸化ケイ素又は金属酸窒化ケイ素ベース膜を形成させるために好適な前駆体の提供。【解決手段】次の構造により表される有機金属錯体。 (式中、Mは、元素周期表の4族から選択される金属であり、そしてR1〜4は、同一又は異なって、ジアルキルアミド、ジフルオロアルキルアミド、水素、アルキル、アルコキシ、フルオロアルキル及びアルコキシ、脂環式、並びにアリールから成る群から選択されることができるが、但しR1及びR2が、ジアルキルアミド、ジフルオロアルキルアミド、アルコキシ、フルオロアルキル及びアルコキシである場合には、それらは連結して環を形成することができる。)。関連化合物もまた、開示されている。上記錯体を用いるCVD及びALD堆積法がまた、含まれる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
次の構造により表される有機金属錯体:
IPC (8件)：
C07F 7/28 ,  C07F 7/02 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/28 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/320 ,  C07F 19/00
FI (8件)：
C07F7/28 G ,  C07F7/02 C ,  C23C16/42 ,  H01L21/285 C ,  H01L21/28 301S ,  H01L21/88 P ,  H01L21/88 M ,  C07F19/00
Fターム (54件)：
4H049VN01 ,  4H049VN05 ,  4H049VP01 ,  4H049VQ39 ,  4H049VQ80 ,  4H049VR12 ,  4H049VR54 ,  4H049VS12 ,  4H049VS35 ,  4H049VU24 ,  4H049VW39 ,  4H050AA01 ,  4H050AA03 ,  4H050AB90 ,  4H050AB91 ,  4K030AA01 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA06 ,  4K030BA10 ,  4K030BA12 ,  4K030BA18 ,  4K030BA20 ,  4K030BA22 ,  4K030BA38 ,  4K030BA48 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA08 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030LA15 ,  4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB24 ,  4M104BB25 ,  4M104BB29 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB36 ,  4M104DD45 ,  4M104FF18 ,  4M104HH05 ,  5F033HH11 ,  5F033HH26 ,  5F033HH27 ,  5F033HH32 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033XX28
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)
引用文献：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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