特許

J-GLOBAL ID：200903025010482540

電界放出冷陰極素子

発明者： 巻島 秀男 ,  山田 恵三 ,  井村 裕則
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-085825
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302266
出願日： 1993年04月13日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：

【要約】【目的】電界放出冷陰極素子の吸着ガス放出等のために、温度を上昇・降下させるときに生じる熱歪みを低減し、ゲート膜の剥がれや基板のクラック発生を防ぎ、信頼性が高く、放出電流安定性の良い冷陰極を提供するとともに、エミッション電流の陰極面内均一度を改善する。【構成】ゲート開口周辺を除く部分ではゲート電極を電圧印加に必要な部分を除いて取り除くかあるいは絶縁層を部分的に除去した構造とする。あるいは、ゲート開口部を除く部分を薄くするか、ゲート電極の開口部付近を少なくとも2層構造とし、絶縁層に接触した第1層部分には絶縁層と絶縁層から離れた第2層の中間の熱膨張率を有する材料を使用する。

請求項（抜粋）：

導電性を持つ基板あるいは絶縁性材料上に導電性層を積層した基板と、前記基板の上に形成し先端を先鋭化した電極と、前記電極とその付近を除いて前記基板上に形成した絶縁層と、前記絶縁層の上に積層し前記電極を取り囲む開口を持つ制御電極から構成され、前記制御電極の前記開口の周辺部を前記開口の周辺部を除く部分よりも厚く形成したことを特徴とする電界放出冷陰極素子。