特許
J-GLOBAL ID：200903025013808447
バリスタのためのりん酸塩被膜および方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-177824
公開番号（公開出願番号）：特開2000-030911
出願日： 1999年06月24日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：
【要約】析出された無機の電気的絶縁層を備えた半導体デバイスを提供する方法は、露出された半導体表面および電気的伝導性末端端子を包含している。このデバイスはりん酸溶液中で飽和されて、金属末端端子上ではなく、半導体の露出された表面上にりん酸塩層を形成する。このデバイスはその後、従来のめっき方法でめっきされ、そしてそのめっきは末端端子上にのみもたらされる。
請求項（抜粋）：
(a)非線形抵抗デバイス用の本体を提供する工程であって、該本体の外側は末端端子が設けられる端子領域を除いて半導体酸化物を含んで成るセラミックであるものと、(b)りん酸溶液を本体と反応させて、露出された半導体酸化物上に電気的絶縁性りん酸塩被膜を形成する工程であって、末端端子はりん酸塩により塗被されないものと、(c)めっき溶液中で本体を飽和させ、それにより該本体を電気的伝導性金属で塗被する工程とを含んで成り、りん酸塩が末端端子より活性が低いが故に、その電気的伝導性金属は本体のりん酸塩塗被部分上に形成されることはなく、めっき溶液中でデバイスを飽和させるに先立って、そのデバイスを電気的にチャージする工程を含み、りん酸塩が電気的に伝導性ではないが故に、電気的伝導性金属が本体のりん酸塩塗被部分に形成されることはないことを特徴とする非線形抵抗デバイスの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
前のページに戻る
