特許
J-GLOBAL ID:200903025014311589
結晶化ガラス、磁気ディスク用基板、磁気ディスクおよび結晶化ガラスの製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
杉村 暁秀 (外8名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-317268
公開番号(公開出願番号):特開2000-143290
出願日: 1998年11月09日
公開日(公表日): 2000年05月23日
要約:
【要約】【課題】主結晶がリチウムダイシリケートとα-クオーツの結晶化ガラスにおいて、-50°C〜70°Cまでの熱膨張係数を90〜130×10- 7 /kとし、結晶化温度に対する熱膨張係数の変化を小さくし、微細結晶とする。【解決手段】主結晶相がα-クオーツおよびリチウムダイシリケートであり、-50°C〜70°Cまでの熱膨張係数が90〜130×10- 7 /kである結晶化ガラスであって、以下の組成を有する(70重量%≦SiO2 ≦80重量%、5重量%≦Al2 O3 ≦9重量%、7重量%≦Li2 O≦10重量%、1重量%≦P2 O5 ≦3重量%、K2 O≦ 3重量%、CaO≦3重量%、BaO≦4重量%、ZnO≦4重量%、Sb2 O3 ≦1重量%、ZrO2 ≦6重量%、Nb2 O5≦6重量%、SnO2 ≦4重量%、MoO3 ≦3重量%、0.7重量%≦(Nb2 O5 +SnO2 +MoO3 )≦6重量%)。
請求項(抜粋):
以下の組成を有しており、主結晶相がα-クオーツ(SiO2 )およびリチウムダイシリケート(Li2 O・2SiO2 )であり、-50°C〜70°Cまでの熱膨張係数が90〜130×10- 7 /kであることを特徴とする、結晶化ガラス。70重量%≦SiO2 ≦80重量%5重量%≦Al2 O3 ≦ 9重量%7重量%≦Li2 O ≦10重量%1重量%≦P2 O5 ≦ 3重量%0重量%≦K2 O ≦ 3重量%0重量%≦CaO ≦ 3重量%0重量%≦BaO ≦ 4重量%0重量%≦ZnO ≦ 4重量%0重量%≦Sb2 O3 ≦ 1重量%0重量%≦ZrO2 ≦ 6重量%0重量%≦Nb2 O5 ≦ 6重量%0重量%≦SnO2 ≦ 4重量%0重量%≦MoO3 ≦ 3重量%0.7重量%≦(Nb2 O5 +SnO2 +MoO3 )≦6重量%
IPC (7件):
C03C 10/14
, C03C 3/083
, C03C 3/085
, C03C 3/087
, C03C 3/097
, G11B 5/73
, G11B 5/84
FI (7件):
C03C 10/14
, C03C 3/083
, C03C 3/085
, C03C 3/087
, C03C 3/097
, G11B 5/704 Z
, G11B 5/84 Z
Fターム (82件):
4G062AA11
, 4G062AA18
, 4G062CC01
, 4G062CC09
, 4G062DA07
, 4G062DB03
, 4G062DC01
, 4G062DD03
, 4G062DE01
, 4G062DE02
, 4G062DE03
, 4G062DF01
, 4G062EA03
, 4G062EB01
, 4G062EC01
, 4G062EC02
, 4G062EC03
, 4G062ED01
, 4G062EE01
, 4G062EE02
, 4G062EE03
, 4G062EG01
, 4G062EG02
, 4G062EG03
, 4G062FA01
, 4G062FA10
, 4G062FB01
, 4G062FC01
, 4G062FC02
, 4G062FC03
, 4G062FD01
, 4G062FE01
, 4G062FE02
, 4G062FE03
, 4G062FG01
, 4G062FG02
, 4G062FG03
, 4G062FH01
, 4G062FJ01
, 4G062FK01
, 4G062FL01
, 4G062GA01
, 4G062GA10
, 4G062GB01
, 4G062GC01
, 4G062GD01
, 4G062GE01
, 4G062HH01
, 4G062HH03
, 4G062HH05
, 4G062HH07
, 4G062HH08
, 4G062HH09
, 4G062HH11
, 4G062HH13
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, 4G062KK01
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, 4G062KK07
, 4G062KK10
, 4G062MM27
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, 4G062QQ06
, 5D006CB04
, 5D006CB07
, 5D006DA03
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, 5D112AA02
, 5D112AA24
, 5D112BA03
, 5D112BA09
, 5D112GB01
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