特許
J-GLOBAL ID：200903025018222440
シリコン超微粒子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-071423
公開番号（公開出願番号）：特開平6-279015
出願日： 1993年03月30日
公開日（公表日）： 1994年10月04日
要約：
【要約】【目的】 従来に比べて粒径が揃った高純度のシリコン超微粒子の製造方法を提供する。【構成】 対向するシリコン電極9、9間で発生させた第一の高温プラズマ10によって前記シリコン電極を蒸発させた後、引続き前記蒸発物を減圧雰囲気中において無電極放電で発生させた第二の高温プラズマ14中に通過させてなるシリコン超微粒子の製造方法。
請求項（抜粋）：
対向するシリコン電極間で発生させた第一の高温プラズマによって前記シリコン電極を蒸発させた後、引続き前記蒸発物を減圧雰囲気中において無電極放電で発生させた第二の高温プラズマ中に通過させてなるシリコン超微粒子の製造方法。
IPC (2件)：
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