特許

J-GLOBAL ID：200903025036650433

半導体装置の作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  大谷 久 ,  浜谷 敏次
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-067350
公開番号（公開出願番号）：特開平9-312406
出願日： 1997年03月05日
公開日（公表日）： 1997年12月02日
要約：

【要約】【目的】 珪素の結晶化を助長する金属元素を利用した結晶性珪素膜中の金属元素の濃度を減少させる。【構成】 石英基板101上に配置された非晶質珪素膜103に対してニッケル元素を導入した後、結晶化のための第1の加熱処理を行う。この加熱処理で結晶性珪素膜105を得る。次にウエット酸化により酸化膜106を形成する。この際、フッ素の作用により、この酸化膜106中にニッケル元素をゲッタリングさせる。次に熱酸化膜106を除去する。こうすることで、低い金属元素の濃度で高い結晶性を有する結晶性珪素膜107を得ることができる。

請求項（抜粋）：

非晶質珪素膜を形成する工程と、前記非晶質珪素膜の表面に珪素の結晶化を助長する金属元素を接して保持させる工程と、第1の加熱処理を行い前記非晶質珪素膜を結晶化させ結晶性珪素膜を得る工程と、酸素と水素とフッ素とを含む雰囲気中において500°C〜700°Cの第2の加熱処理を行い前記結晶性珪素膜の表面に熱酸化膜を形成する工程と、前記熱酸化膜を除去する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (7件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/324 ,  H01L 27/12

FI (6件)：

H01L 29/78 627 G ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/316 S ,  H01L 21/322 Q ,  H01L 21/324 Z ,  H01L 27/12 R