特許
J-GLOBAL ID：200903025042506816
薄膜の除去方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-316800
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163466
出願日： 1992年11月26日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【構成】 基板31上に形成された多結晶シリコンや窒化ケイ素等の薄膜33を除去する薄膜の除去方法において、マイクロ波発振器22と、マイクロ波を伝送する導波管21と、導波管21に接続された誘電体線路20と、誘電体線路20に対向配置されるマイクロ波導入窓15を有する反応器10と、反応器10内に設けられた試料保持部16とを備えたマイクロ波プラズマ処理装置を用い、エッチングガスに不活性ガスを添加する薄膜の除去方法。【効果】 荷電粒子によって蒙るおそれがある下地膜32におけるダメージの発生を抑制することができ、密度分布が均一化されたラジカルによって薄膜33を選択的に、速やかに、面内均一性よくエッチング除去することができる。したがって、素子の微細化及び基板31の大口径化に容易に対応することができ、さらに基板31の汚染をなくすことができる。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された多結晶シリコンや窒化ケイ素等の薄膜を除去する薄膜の除去方法において、マイクロ波発振器と、マイクロ波を伝送する導波管と、該導波管に接続された誘電体線路と、該誘電体線路に対向配置されるマイクロ波導入窓を有する反応器と、該反応器内に設けられた試料保持部とを備えたマイクロ波プラズマ処理装置を用い、エッチングガスに不活性ガスを添加することを特徴とする薄膜の除去方法。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, C23F 1/00 103
, C23F 4/00
