特許
J-GLOBAL ID:200903025044026170
導電膜配線の形成方法、膜構造体、電気光学装置、並びに電子機器
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
渡邊 隆 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-119448
公開番号(公開出願番号):特開2003-315813
出願日: 2002年04月22日
公開日(公表日): 2003年11月06日
要約:
【要約】【課題】 導電膜配線の細線化とともに、基板に対する導電膜配線の密着力を高めることができる導電膜配線の形成方法を提供する。【解決手段】 液体吐出手段10を介して金属微粒子を含む第1の液体材料を基板11上に配置し、基板11上に所定パターンの導電膜配線を形成する際に、それに先立って、基板11の表面を液体材料に対して撥液性に制御するとともに、液体吐出手段10を介して第1の液体材料とは異なる第2の液体材料を基板11上に配置し、基板11に対する導電膜配線の密着力を向上させる中間層W1を形成する。
請求項(抜粋):
液体吐出手段を介して第1の金属微粒子を含む第1の液体材料を基板上に配置し、該基板上に所定パターンの導電膜配線を形成する方法であって、前記第1の液体材料を前記基板上に配置する前に、前記基板の表面を前記第1の液体材料および前記第1の液体材料とは異なる第2の液体材料に対して撥液性に制御する表面処理工程と、前記表面処理工程の後に、液体吐出手段を介して前記第2の液体材料を前記基板上に配置し、前記基板に対する前記導電膜配線の密着力を向上させる中間層を形成する中間層形成工程とを有することを特徴とする導電膜配線の形成方法。
IPC (2件):
G02F 1/1343
, G02F 1/1345
FI (2件):
G02F 1/1343
, G02F 1/1345
Fターム (32件):
2H092GA24
, 2H092GA28
, 2H092GA32
, 2H092GA40
, 2H092GA48
, 2H092GA59
, 2H092GA60
, 2H092HA06
, 2H092HA21
, 2H092HA22
, 2H092HA23
, 2H092HA26
, 2H092HA27
, 2H092JB22
, 2H092JB26
, 2H092JB31
, 2H092JB35
, 2H092KA15
, 2H092KA17
, 2H092KA18
, 2H092KA19
, 2H092KB01
, 2H092KB04
, 2H092KB05
, 2H092KB11
, 2H092MA09
, 2H092MA16
, 2H092MA29
, 2H092MA32
, 2H092NA15
, 2H092NA16
, 2H092NA18
引用特許: