特許

J-GLOBAL ID：200903025045149445

MOSトランジスタ

発明者： ナディア リフシッツ ,  サージ ルリイ
出願人/特許権者： アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-018781
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252401
出願日： 1994年02月16日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：

【要約】【目的】 本件発明は半導体デバイス、より詳細には金属-絶縁体-半導体トランジスタ(MIS)トランジスタ構造、特に絶縁体が酸化物であるMOS形半導体デバイスの改良を提供することを目的とする。【構成】 本件発明のMOSトランジスタ(100)のゲート電極において、トランジスタは薄膜ポリシリコン基板(10)又はバルク単結晶基板を有し、ゲートは一対の隣接した領域(32.1、32.3)、即ちソース(11)近くの高濃度ドープゲート電極領域及びドレイン(13)近くの高濃度ドープゲート電極を有する。トランジスタをオフにするため電圧が印加されたときにドレイン近くに配置されたチャネル領域の一部中の電界を減らすべく、ドレイン近くのゲート電極領域は非常に低い濃度でドーピングされている。一方、適切な電圧が印加されたときにはトランジスタをオンにするのに十分な不純物ドーピングが、ソース近くのゲート電極領域中に導入されている。

請求項（抜粋）：

(a)半導体中に配置され、半導体中に位置する長さLの中間領域により分離されたソース及びドレイン領域、(b)絶縁体上に配置され、本質的に第1及び第2の隣接したゲート電極領域を含む多結晶半導体ゲート電極層、を含み、第1のゲート電極領域は第1の平均不純物ドーピング濃度を有し、ソース領域の端部上の第1の領域から、第2のゲート電極領域の端部まで延び、第2のゲート電極領域は第2の平均不純物ドーピング濃度を有し、ドレイン領域の端部上の第2の領域まで延び、第2の平均不純物ドーピング濃度に対する第1のそれの比は、少なくとも10に等しく、第1のゲート電極はソース領域とは相対する伝導形を有する半導体トランジスタ構造。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-068965
  
• 特開昭64-046980
  
• 特開昭61-048979
  
• 特開昭63-283068