特許

J-GLOBAL ID：200903025045771758

半導体装置及びその製造方法

発明者： 白石 正樹 ,  坂本 光造
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 鈴木 市郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-401700
公開番号（公開出願番号）：特開2002-203964
出願日： 2000年12月28日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：

【要約】【課題】 トレンチ6内に埋め込まれたソース電極7と外部補助ソース電極13Aを好適な接続手段で導電接続する電力用MOSFETを提供する。【解決手段】 半導体基板1、基板1に形成したドリフト領域2、領域2に形成したチャネル領域3、領域3に部分形成したソース領域4、領域3、4を通して領域2内に達する複数のトレンチ6、各トレンチ6内の底面側にあって第1絶縁膜9で充填された内部ソース電極7、各トレンチ6内の電極7の上側にあって第1及び第2絶縁膜9、10で充填された内部ゲート電極8、一部がソース領域4内に延伸した外部ソース電極13、電極8に導電接続された外部ゲート電極14を有し、各トレンチ6内の電極7は一部にトレンチ6壁に沿って立上る立上り部71 、立上り部71 に連なりトレンチ6外側に延伸する延伸部72 を有しており、延伸部72 が外部補助ソース電極13Aに導電接続される。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の一面に配置されたドレイン電極と、前記半導体基板の他面に形成された第1導電型のドリフト領域と、前記ドリフト領域の他面に形成された第2導電型のチャネル領域と、前記チャネル領域の他面に形成された第1導電型のソース領域と、前記ソース領域及び前記チャネル領域をそれぞれ貫通して前記ドリフト領域内に達する複数のトレンチと、前記各トレンチ内の底面側に配置され、第1絶縁膜で充填された内部ソース電極と、一部が前記各トレンチ内の入口側に、残部が前記各トレンチの外部にそれぞれ配置され、前記一部が第2絶縁膜で充填され、前記残部が前記第1絶縁膜で被覆された内部ゲート電極と、前記第1絶縁膜上に配置され、一部が前記ソース領域内に延伸している外部ソース電極と、前記第1絶縁膜上に配置され、前記第2導電体に導電接続された外部ゲート電極とを有する半導体装置において、前記各トレンチ内の内部ソース電極は、その一部にトレンチ壁に沿って立上る立上り部と、前記立上り部に連結され、前記各トレンチの外側方向に延伸する延伸部とが設けられ、前記延伸部が前記第1絶縁膜上に配置された外部補助ソース電極に導電接続されることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/78 653

FI (5件)：

H01L 29/78 652 M ,  H01L 29/78 652 F ,  H01L 29/78 652 N ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 653 B