特許
J-GLOBAL ID：200903025049655558
半導体装置の製造方法及び気体中の水素濃度測定方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-094757
公開番号（公開出願番号）：特開平7-301592
出願日： 1994年05月09日
公開日（公表日）： 1995年11月14日
要約：
【要約】【目的】 熱処理雰囲気の監視方法に関し,汚染がなくかつ高温気体中の水素濃度を監視することを目的とする。【構成】 熱処理工程を有する半導体装置の製造方法において,シリコン結晶を該熱処理工程により熱処理してモニタ結晶1とするモニタ工程と,次いで,該モニタ結晶1中の水素濃度を測定する工程とを有し,該モニタ結晶1中の水素濃度に基づいて,該熱処理工程の雰囲気中の水素分圧を監視するように構成する。
請求項（抜粋）：
シリコン結晶を気体中で熱処理してモニタ結晶(1)とするモニタ工程と,次いで,該モニタ結晶(1)中の水素濃度を測定する工程とを有し,該モニタ結晶(1)中の水素濃度に基づいて,該気体中の水素分圧を監視することを特徴とする気体中の水素濃度測定方法。
IPC (3件)：
G01N 7/00
, G01N 25/00
, H01L 21/324
