特許

J-GLOBAL ID：200903025051055339

フッ素ゴム積層体の製造方法およびそれからなるゴム積層体

発明者： 前田 明夫 ,  瀬谷 弘旦
出願人/特許権者： 日本ゼオン株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-348246
公開番号（公開出願番号）：特開平5-214118
出願日： 1991年12月04日
公開日（公表日）： 1993年08月24日
要約：

【要約】【目的】 フッ素ゴム層と他のゴム層(エピクロルヒドリン系ゴム、アクリロニトリルーブタジエン系ゴム、水素化アクリロニトリルーブタジエン系ゴム、アクリルゴムなど)とからなり、それらゴム層の加硫系の如何にかかわらず接着性に優れるゴム積層体を提供すること。【構成】 フッ素ゴム層と他のゴム層とからなるゴム積層体を製造するに際し、両ゴム層間に化1で示されるホスホニウム塩を介在させて、加圧、加熱する方法により接着加硫してなるゴム積層体。【化1】(R1、R2、R3、R4は置換基を含んでもよい炭素数1〜20の炭化水素残基である。ただし、R1、R2、R3、R4のうちの3個までは1〜3級アミノ基またはフルオロアルキル基でもよい。R5は水素または炭素数1〜20のアルキル基である。)

請求項（抜粋）：

フッ素ゴム層と他のゴム層とからなる積層体を製造するに際し、ゴム層間に次式で示されるホスホニウム塩を介在させて両ゴム層を積層し、加熱、接着することを特徴とするフッ素ゴム積層体の製造方法。【化1】(R1、R2、R3、R4は置換基を含んでもよい炭素数1〜20の炭化水素残基である。ただし、R1、R2、R3、R4のうちの3個までは1〜3級アミノ基またはフルオロアルキル基でもよい。R5は水素または炭素数1〜20のアルキル基である。)

IPC (5件)：

C08J 5/12 CEQ ,  B32B 7/10 ,  B32B 25/04 ,  B32B 27/30 ,  B32B 9/04