特許
J-GLOBAL ID：200903025053350818
強誘電体膜を用いた装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲岡 耕作 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-338834
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175509
出願日： 1991年12月20日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：
【要約】【構成】半導体基板10の表面に、チャネル領域4上に窓を有する酸化膜7が形成される。この酸化膜7などを被覆するように強誘電体膜15が形成され、さらにこの強誘電体膜15の表面がレジスト16で平坦化される(図2(d) 参照。)。次に、レジスト16および強誘電体膜15がエッチバックされ、酸化膜7が露出させられる(図2(e) 参照。)。この状態から、酸化膜7の不必要な部分が選択的に除去される。【効果】酸化膜7を微細なパターンに形成することによって、強誘電体膜15を微細にパターン形成できる。
請求項（抜粋）：
基板上にパターン形成された強誘電体膜を有する装置の製造方法であって、基板上に、上記強誘電体膜を形成すべき領域に窓を有するとともに、第1の種類のエッチングにおける上記強誘電体膜との選択比が小さく、第2の種類のエッチングにおける上記強誘電体膜との選択比が大きな材料からなる下層膜をパターン形成する工程と、上記下層膜を形成した基板表面を被覆するように上記強誘電体膜を形成する工程と、この強誘電体膜の表面を平坦化するようにレジストを形成する工程と、上記レジストおよび上記強誘電体膜を、上記下層膜が露出するまで、上記第1の種類のエッチングによりエッチバックする工程と、上記下層膜を上記第2の種類のエッチングにより除去する工程とを含むことを特徴とする強誘電体膜を用いた装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
