特許

J-GLOBAL ID：200903025054252470

ITOターゲット

発明者： 岡部 勝明 ,  大瀧 光信 ,  江島 光一郎 ,  横川 敏雄 ,  天羽 隆一
出願人/特許権者： 同和鉱業株式会社
代理人 (1件)： 丸岡 政彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-113627
公開番号（公開出願番号）：特開平7-118840
出願日： 1993年04月16日
公開日（公表日）： 1995年05月09日
要約：

【要約】【目的】 優れた耐黒化性を有すると共に、比抵抗が低い透明導電膜を安定して得ることができるITOターゲットの提供。【構成】 まず、原料粉の比表面積(BET)が30m2 /gで、造粒粉の粒径がすべて 200μm以下である焼結性の良いITO粉末を用い、φ4”×6tのITOタ-ゲット(SnO2 10wt%)を製造する(バルク相対密度:98.8%、ポア径:4.4μm)。【構成】 上記ITOターゲットをスパッタリングターゲットとして、バッチ式DCスパッタとφ4”マグネトロンカソードを有するスパッタ装置に装備し、到達圧力 5.0×10-6Torr以下、スパッタ圧 1.5×10-3Torr、Ar+O2 ガス30SCCM、成膜温度 300°Cのスパッタ条件の下でITO膜の成膜を行った場合、タ-ゲット寿命に対して80%使用時においても、タ-ゲットの表面黒化は発生せず、 1.7×10-4Ωcmという低い比抵抗のITO膜が安定して得らる。

請求項（抜粋）：

ITO焼結体からなるターゲットであって、前記焼結体に存在するポアの直径が10μm以下で均一に分布しており、かつその相対密度が93%以上であることを特徴とするITOターゲット。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• ITOスパツタリングタ-ゲツト
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-336299   出願人：株式会社日鉱共石