特許

J-GLOBAL ID：200903025054377361

ICメモリ装置ならびにその製造方法

発明者： 小浜 京一 ,  高杉 和夫 ,  山本 博司
出願人/特許権者： 日立マクセル株式会社
代理人 (1件)： 武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-072177
公開番号（公開出願番号）：特開平7-276866
出願日： 1994年04月11日
公開日（公表日）： 1995年10月24日
要約：

【要約】【目的】 実装高さが低く、かつ容易に実装でき、薄いベアチップICも実装可能なICメモリ装置ならびにその製造方法を提供することにある。【構成】 導電パターン5を有するプリント配線基板1と、そのプリント配線基板1上に固定されたベアチップIC4と、そのベアチップIC4とプリント配線基板1との間に配置された電気絶縁性の支持シート7と、その支持シート7上に形成されてベアチップIC4の電極部4cとプリント配線基板1の端子部5aとの間を電気的に接続する導電薄膜12とを備えたことを特徴とするものである。

請求項（抜粋）：

導電パターンを有するプリント配線基板と、そのプリント配線基板上に固定されたベアチップICと、そのベアチップICとプリント配線基板との間に固定された電気絶縁性の支持シートと、その支持シート上に形成されてベアチップICの電極部とプリント配線基板の端子部との間を電気的に接続する導電薄膜とを備えたことを特徴とするICメモリ装置。

IPC (2件)：

B42D 15/10 521 ,  G06K 19/077

FI (2件)：

G06K 19/00 K ,  G06K 19/00 L