特許
J-GLOBAL ID:200903025056078612

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 寒川 誠一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-318005
公開番号(公開出願番号):特開平5-160385
出願日: 1991年12月02日
公開日(公表日): 1993年06月25日
要約:
【要約】【目的】 半導体装置、特に、導電性高分子化合物を使用した分子レベルの超微細半導体装置に関し、導電性高分子鎖を構成する個々の分子を識別してその個々の分子に刺激を加える手段と、その加えられた刺激情報を分子レベルで読み出す手段とを有する分子レベルの超微細半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 導電性高分子鎖8と、導電性高分子鎖8の両端に電圧を印加する電源10と、導電性高分子鎖8の1つの基に電子を注入する電子注入手段1と、注入された電子による導電性高分子鎖8中の電位変動を検出する電位検出手段2とを有する半導体装置をもって構成される。
請求項(抜粋):
導電性高分子鎖(8)と、該導電性高分子鎖(8)の両端に電圧を印加する電源(10)と、前記導電性高分子鎖(8)の1つの基に電子を注入する電子注入手段(1)と、前記注入された電子による前記導電性高分子鎖(8)中の電位変動を検出する電位検出手段(2)とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 29/28 ,  H01L 49/00

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