特許
J-GLOBAL ID：200903025056528570
半導体素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-284117
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132257
出願日： 1992年10月22日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：
【要約】【目的】 モリブデン・タンタル合金のエッチング速度を速め、かつ金属導体の断面形状のテーパー角度を容易に制御する。【構成】 基板と、この基板上にモリブデン・タンタル合金層を形成する工程と、モリブデン・タンタル合金層を混合ガスのプラズマを用いて異方性ドライエッチング加工する工程とからなる半導体素子の製造方法において、混合ガスが、プラズマ中で弗素イオンまたは弗素ラジカルを形成するガスおよび塩素イオンまたは塩素ラジカルを形成するガスを少なくとも含有する。
請求項（抜粋）：
基板と、この基板上にモリブデン・タンタル合金層を形成する工程と、前記モリブデン・タンタル合金層を混合ガスのプラズマを用いて異方性ドライエッチング加工する工程とからなる半導体素子の製造方法において、前記混合ガスが、プラズマ中で弗素イオンまたは弗素ラジカルを形成するガス、およびプラズマ中で塩素イオンまたは塩素ラジカルを形成するガスを少なくとも含有することを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/302
, H01L 29/784
