特許
J-GLOBAL ID：200903025057407563
素子分離の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-249007
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106320
出願日： 1993年10月05日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：
【要約】【目的】 素子分離用酸化膜の素子形成領域への入り込みを抑え、信頼性の高い分離用酸化膜を有し、かつ、良好な分離耐圧特性を有する半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 半導体基板100上に、第一の下地酸化膜101を形成し、その上に第一のシリコン窒化膜102を160nm形成する。そして、素子分離領域上の前記下地酸化膜101とシリコン窒化膜102を除去する。その後、素子分離領域に前記第一の下地酸化膜101よりは厚い酸化膜103を形成する。次に半導体基板全面に第二のシリコン窒化膜104を形成し異方性エッチングを行い、前記素子形成領域上のシリコン窒化膜102に第二のシリコン窒化膜104の側壁を形成する。その後、厚い素子分離用酸化膜105を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に第一の被膜を形成する工程と、この第一の被膜上に第一のシリコン窒化膜を形成する工程と、素子分離領域の前記第一の被膜と前記第一のシリコン窒化膜を除去する工程と、前記半導体基板を酸化し、素子分離領域に第一の熱酸化膜を形成する工程と、前記第一の熱酸化膜上で前記第一の被膜を下地に有する第一のシリコン窒化膜の側壁に第二のシリコン窒化膜を形成する工程と、前記第一及び第二のシリコン窒化膜をマスクとして、前記半導体基板を熱酸化し、素子分離領域に第二の熱酸化膜を形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/94 A
, H01L 21/76 M
