特許

J-GLOBAL ID：200903025058179394

パターン形成方法

発明者： 佐藤 康彦
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-103727
公開番号（公開出願番号）：特開2002-296791
出願日： 2001年04月02日
公開日（公表日）： 2002年10月09日
要約：

【要約】【課題】 塗布法により成膜できる下層膜を用いてレジスト膜の薄膜化を図るとともに必要なマスク厚を確保し、加工変換差を抑制して寸法精度よく被加工膜を加工し得るパターン形成方法を提供する。【解決手段】 被加工膜(2)上にシリコンと窒素との結合を主鎖に有する化合物を含有する溶液を塗布して下層膜(3)を形成する工程と、前記下層膜中の前記窒素を酸素に置換する工程と、前記下層膜上にレジスト膜(5)を形成する工程と、前記レジスト膜に対してパターン露光及び現像処理を施してレジストパターン(6)を形成する工程と、前記レジストパターンを前記下層膜に転写して下層膜パターン(7)を形成する工程と、前記下層膜パターンを前記被加工膜に転写して被加工膜パターン(8)を形成する工程とを具備することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

被加工膜上にシリコンと窒素との結合を主鎖に有する化合物を含有する溶液を塗布して下層膜を形成する工程と、前記下層膜中の前記窒素を酸素に置換する工程と、前記下層膜上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に対してパターン露光および現像処理を施してレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを前記下層膜に転写して下層膜パターンを形成する工程と、前記下層膜パターンを前記被加工膜に転写して被加工膜パターンを形成する工程とを具備するパターン形成方法。

IPC (5件)：

G03F 7/11 503 ,  G03F 7/38 501 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065

FI (5件)：

G03F 7/11 503 ,  G03F 7/38 501 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/30 563 ,  H01L 21/302 N

Fターム (53件)：

2H025AA00 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC07 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025DA40 ,  2H025FA01 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H025FA41 ,  2H096AA00 ,  2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096DA10 ,  2H096EA02 ,  2H096EA04 ,  2H096EA05 ,  2H096EA06 ,  2H096EA07 ,  2H096EA08 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096HA23 ,  2H096JA02 ,  2H096JA04 ,  5F004AA02 ,  5F004AA04 ,  5F004BA04 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA03 ,  5F004DA05 ,  5F004DA06 ,  5F004DA10 ,  5F004DA18 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004EA03 ,  5F004EA04 ,  5F004FA01 ,  5F004FA04 ,  5F004FA05 ,  5F046NA01 ,  5F046NA18 ,  5F046NA19