特許

J-GLOBAL ID：200903025060586029

バイポーラトランジスタ

発明者： 柳原 学
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (11件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-185794
公開番号（公開出願番号）：特開2008-016615
出願日： 2006年07月05日
公開日（公表日）： 2008年01月24日
要約：

【課題】2次元正孔ガス層をp型ベースとし且つ窒化物系半導体からなり高速に動作するバイポーラトランジスタを実現できるようにする。【解決手段】バイポーラトランジスタは、窒化物半導体からなる第1の半導体層14を含むエミッタ層と、第1の半導体層14と比べてバンドギャップが小さい窒化物半導体からなり且つ第1の半導体層14と接して形成された第2の半導体層15を含むベース層と、第2の半導体層15における第1の半導体層14とは反対側の面と接して形成された窒化物半導体からなる第3の半導体層16を含むコレクタ層とを備えている。第2の半導体層15における第1の半導体層15と第2の半導体層14との界面領域には、2次元正孔ガス層が発生し、ベース層の一部と接するように選択的に形成されたベース電極19は、2次元正孔ガス層とオーミック接続している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の窒化物半導体層を含むエミッタ層と、 前記第1の窒化物半導体層と比べてバンドギャップが小さく且つ前記第1の窒化物半導体層と接して形成された第2の窒化物半導体層を含むベース層と、 前記第2の窒化物半導体層における前記第1の窒化物半導体層とは反対側の面と接して形成された第3の窒化物半導体層を含むコレクタ層と、 前記第2の窒化物半導体層における前記第1の窒化物半導体層と前記第2の窒化物半導体層との界面領域に発生する2次元正孔ガス層と、 前記ベース層の一部と接するように選択的に形成され、前記2次元正孔ガス層とオーミック接続したベース電極とを備えていることを特徴とするバイポーラトランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/737 ,  H01L 29/88 ,  H01L 29/68

FI (3件)：

H01L29/72 H ,  H01L29/88 F ,  H01L29/68

Fターム (19件)：

5F003AZ01 ,  5F003BA92 ,  5F003BB04 ,  5F003BB08 ,  5F003BB90 ,  5F003BC01 ,  5F003BC08 ,  5F003BC90 ,  5F003BE01 ,  5F003BE04 ,  5F003BE08 ,  5F003BE90 ,  5F003BF06 ,  5F003BJ12 ,  5F003BM02 ,  5F003BM03 ,  5F003BN02 ,  5F003BN06 ,  5F003BP31

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置及びヘテロ接合バイポーラトランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-309586   出願人：松下電器産業株式会社