特許

J-GLOBAL ID：200903025064964494

半導体発光材料及びその製造方法並びにこれを用いた発光素子

発明者： 山口 健志 ,  水嶋 一樹 ,  佐々 紘一
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-334851
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164921
出願日： 1998年11月26日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】 Si-LSI技術と共存でき、光ファイバに適合する発光波長を有し、発光効率が高く、発光減衰時間の短い半導体発光材料及びこれを用いた発光素子を安価に製造する。【解決手段】 粒子、細線又は井戸状のシリコン・ナノ構造17にIVb族、III-V族又はII-VI族不純物を発光センタとして含んだものを発光材料として用いる。この発光材料は半導体基板上にシリコン・ナノ構造を作製し、この基板の表面にIVb族、III-V族、又はII-VI族不純物をイオン注入により打ち込み、その後アニール処理して作られる。別法として、シリコン基板表面に上記不純物を添加するか、又は上記基板上に上記不純物を含むシリコン層を成膜し、この基板を加工してシリコン・ナノ構造を作製する。更に別法として半導体基板上でシリコン・ナノ構造が成長するときにIVb族、III-V族又はII-VI族不純物を添加する方法がある。

請求項（抜粋）：

粒子、細線、又は井戸構造をとるシリコン・ナノ構造(17)中にIVb族、III-V族又はII-VI族不純物(18a,18b)を発光センタとして含む半導体発光材料。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/30

FI (3件)：

H01L 33/00 A ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18 670

Fターム (35件)：

5F041AA11 ,  5F041CA24 ,  5F041CA33 ,  5F041CA47 ,  5F041CA50 ,  5F041CA64 ,  5F041CA66 ,  5F041CA71 ,  5F041CA72 ,  5F041FF01 ,  5F041FF15 ,  5F045AA04 ,  5F045AB02 ,  5F045AB06 ,  5F045AB09 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AD14 ,  5F045AF03 ,  5F045AF13 ,  5F045BB08 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA55 ,  5F045DA56 ,  5F045HA11 ,  5F045HA15 ,  5F045HA16 ,  5F073CB04 ,  5F073CB13 ,  5F073DA06 ,  5F073DA14 ,  5F073EA11