特許

J-GLOBAL ID：200903025065400179

高周波半導体デバイス

発明者： 石川 容平 ,  坂本 孝一 ,  山下 貞夫 ,  梶川 武久
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 中野 雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-201210
公開番号（公開出願番号）：特開平10-027808
出願日： 1996年07月10日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：

【要約】【課題】 ゲート・ソース電極間、ドレイン・ソース電極間の電極構造にマイクロ波伝送線路の構造を取り入れることにより、半導体デバイスの高周波領域での特性劣化を抑える。【解決手段】 GaAs基板23上の真性デバイス部22にゲート電極36を挟んでドレイン電極31及びソース電極29を設ける。GaAs基板23はソース電極29から延出されたソース延出電極30によってほぼ前面を覆われている。ソース電極30の上には、誘電体層34を介して帯状のドレイン延出電極39が設けられており、これによって出力側のマイクロストリップ線路40Bが形成されている。また、ソース電極30の上には、誘電体層34を介して帯状のゲート延出電極35が設けられており、これによって入力側のマイクロストリップ線路40Aが形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板に部分的に真性デバイス部を形成し、当該真性デバイス部にゲート電極を挟んでソース電極及びドレイン電極を配置し、ゲート電極もしくはゲート電極に導通した電極部分と前記ソース電極もしくはソース電極に導通した電極部分との間にマイクロ波伝送線路を形成し、前記ドレイン電極もしくはドレイン電極に導通した電極部分と前記ソース電極もしくはソース電極に導通した電極部分との間にマイクロ波伝送線路を形成したことを特徴とする高周波半導体デバイス。

IPC (2件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭60-053089
  
• 特開昭63-222442
  
• 特開昭58-092270