特許

J-GLOBAL ID：200903025068017848

半導体装置の製造方法

発明者： 三輪 浩之
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-162158
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349170
出願日： 1999年06月09日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【課題】 熱酸化処理による不純物の増速拡散を抑え、これにより素子の高性能化を可能にした、半導体装置の製造方法の提供が望まれている。【解決手段】 CMOSを有してなる半導体装置の製造方法の場合、イオン注入法によってLDD12、13を形成した後、イオン注入による欠陥回復のための熱処理を施し、その後、熱酸化処理を施すことによって基板1表面のゲート電極11端近傍に酸化膜を形成しあるいはここの酸化膜の膜質を改善する。また、BiCMOSを有してなる半導体装置の製造方法の場合、イオン注入法によってベース領域14を形成した後、イオン注入による欠陥回復のための熱処理を施し、その後、熱酸化処理を施すことによって基板1表面のゲート電極11端近傍に酸化膜を形成しあるいはここの酸化膜の膜質を改善する。

請求項（抜粋）：

CMOSを有してなる半導体装置の製造方法において、イオン注入法によってLDDを形成した後、イオン注入による欠陥回復のための熱処理を施し、その後、熱酸化処理を施すことによって基板表面のゲート電極端近傍に酸化膜を形成しあるいはここの酸化膜の膜質を改善することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/265 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 27/08 321 E ,  H01L 21/265 602 B ,  H01L 29/78 301 L ,  H01L 29/78 301 Y

Fターム (44件)：

5F040DA13 ,  5F040DA17 ,  5F040DB03 ,  5F040DB07 ,  5F040DC01 ,  5F040EC01 ,  5F040EC07 ,  5F040EC13 ,  5F040EF02 ,  5F040EJ04 ,  5F040EL06 ,  5F040FA12 ,  5F040FB02 ,  5F040FC05 ,  5F040FC11 ,  5F040FC18 ,  5F040FC28 ,  5F048AA00 ,  5F048AA07 ,  5F048AC05 ,  5F048BA12 ,  5F048BB06 ,  5F048BB08 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BF03 ,  5F048BF07 ,  5F048BG12 ,  5F048BH02 ,  5F048BH07 ,  5F048CA03 ,  5F048CA07 ,  5F048CA14 ,  5F048CA15 ,  5F048DA00 ,  5F048DA06 ,  5F048DA07 ,  5F048DA08 ,  5F048DA14 ,  5F048DA15 ,  5F048DA18 ,  5F048DA25 ,  5F048DB04 ,  5F048DB09