特許
J-GLOBAL ID：200903025068810483
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-328200
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144984
出願日： 1991年11月15日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：
【要約】【構成】 下記の(A)〜(C)成分を含み、しかも(C)成分の含有量が60〜90重量%に設定されているエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を樹脂封止する。(A)エポキシ樹脂。(B)下記の一般式(1)で表されるフエノールアラルキル樹脂。【化1】〔上記式(1)において、nは0または正の整数である。〕(C)粒子径149μm以上のものが0.5重量%以下、粒子径44μm以下のものが60重量%以上、粒子径5μm以下のものが20〜45重量%であつて、かつメジアン径が5μmを超え25μm以下である粒度分布を有するシリカ粉末。【効果】 優れた耐湿信頼性および成形作業性を備えている。
請求項（抜粋）：
下記の(A)〜(C)成分を含み、(C)成分の含有量が60〜90重量%に設定されているエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。(A)エポキシ樹脂。(B)下記の一般式(1)で表されるフエノールアラルキル樹脂。【化1】〔上記式(1)において、nは0または正の整数である。〕(C)粒子径149μm以上のものが0.5重量%以下、粒子径44μm以下のものが60重量%以上、粒子径5μm以下のものが20〜45重量%であつて、かつメジアン径が5μmを超え25μm以下である粒度分布を有するシリカ粉末。
IPC (5件)：
H01L 23/29
, H01L 23/31
, C08G 59/62 NJF
, C08K 3/36 NKX
, C08L 63/00 NJR
